Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Заплітний Р$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Фодчук І. М. 
Характеристика дефектної структури плівок Y2.95La0.05Fe5O12 після іонної імплантації [Електронний ресурс] / І. М. Фодчук, Р. А. Заплітний, І. І. Гуцуляк, І. П. Яремій, О. Ю. Бончик, Г. В. Савицький, У. О. Томин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 547-552. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_17
За допомогою методів високороздільної X-променевої дифрактометрії досліджено структурні зміни у приповерхневих шарах епітаксійних плівок залізо-ітрієвих гранатів Y2,95La0,05Fe5O12 після високодозової імплантації іонів азоту. Досліджено хід структурних перетворень через вибір відповідних моделей дефектної структури, що містять кілька типів домінуючих мікродефектів і певним чином розподіленого порушеного поверхневого шару. Показано, що перебудова кристалічної структури під дією високодозової імплантації іонами азоту призводить до зменшення лінії феромагнітного резонансу в епітаксійних плівках Y2,95La0,05Fe5O12.
Попередній перегляд:   Завантажити - 435.235 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Піч У. 
Вплив імплантації іонами азоту на структурні зміни в залізо-ітрієвих гранатах легованих лантаном [Електронний ресурс] / У. Піч, А. В. Давидок, І. М. Фодчук, Н. В. Пашняк, Т. А. Каземірський, Р. А. Заплітний, О. Ю. Бончик, Г. В. Савицький, І. І. Виворотка, І. В. Яремій // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2009. - Вип. 438. - С. 17-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2009_438_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 911.75 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Яремій С. І. 
Вплив опромінення іонами Не+ на дефектну структуру монокристалів ҐҐҐ [Електронний ресурс] / С. І. Яремій, В. Д. Федорів, І. П. Яремій, І. М. Фодчук, Р. А. Заплітний, В. П. Кладько // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2009. - Вип. 438. - С. 89-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2009_438_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 678.336 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Заплітний Р. А. 
Процеси дефектоутворення в епітаксійних структурах СdHgTe при імплантації іонами As [Електронний ресурс] / Р. А. Заплітний, Т. А. Каземірський, І. М. Фодчук, З. Свянтек // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2006. - Вип. 303. - С. 29-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2006_303_8
Наведено результати досліджень приповерхневих шарів епітаксійних структур CdHgTe (х = 0,25), імплантованих іонами миш'яку дозами <$E 2~cdot~10 sup 14> та <$E 10 sup 15~roman {іон "/" см} sup 2> з енергією 100 кеВ. Показано, що під час імплантації іонами миш'яку профіль зміни міжплощинної відстані для даної дози має складний характер і його можна подати у вигляді суми двох профілів, один з яких пов'язаний з ядерними, а інший з електронними втратами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 649.621 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Власов А. П. 
Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів CdxHg1-xTe [Електронний ресурс] / А. П. Власов, О. П. Сторчун, О. Ю. Бончик, І. М. Фодчук, Р. А. Заплітний, А. Барч, З. Свьонтек, В. П. Омельянчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 268. - С. 19-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_268_5
Надано результати досліджень контрольованого легування елементами V групи періодичної таблиці - миш'яком As і сурмою Sb вузькощілинних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe у процесі ізотермічного нарощування з газової фази за допомогою методу випаровування - конденсація - дифузія. Для твердофазного легування застосовано три типи джерел домішок: однорідно леговані As (Sb) монокристалічні підкладки CdTe, леговані As буферні епітаксійні плівки CdyHg1-yTe (<$E y~>>~x>), нанесені високочастотним розпорошенням у ртутній плазмі на нелеговані підкладки CdTe, а також імплантовані As (Sb) нелеговані підкладки CdTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 722.658 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Заплітний Р. А. 
Структурні особливості іонного легування As варізонних епітаксійних шарів CdxHg1-xТе [Електронний ресурс] / Р. А. Заплітний, А. П. Власов, О. Ю. Бончик, І. М. Фодчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 60-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.666 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського